热点事件持续更新

单晶金刚石用于芯片散热技术突破

1 篇报道1 个报道来源8 小时前更新

先了解这件事

AI 综述

研究人员将单晶金刚石作为散热扩展层直接集成于芯片与盖板之间，利用其超过2000 W/m·K的导热系数（约为铜的五倍），有效降低芯片结区至表面的热阻，解决高功耗芯片局部热点问题。该技术通过化学气相沉积（CVD）实现工业化生产，可制备最大达25×25毫米的单晶金刚石，覆盖光罩尺寸级计算芯片，无需拼接，消除导热路径中的接合缝隙。此方案针对现代芯片非均匀发热特性，尤其适用于计算模块、SerDes及供电区域等局部热通量高达每平方厘米数百瓦的热点区域，显著改善热量在接触冷板前最初一毫米空间内的扩散阻力。

AI 根据报道生成 · 7 小时前更新

最新进展11月2日 09:51

单晶金刚石用于芯片散热技术突破

报道时间线

沿着报道，了解事件的不同侧面。

11月2日

09:51
36氪精选
单晶金刚石用于芯片散热技术突破
先进封装使芯片功耗突破1000瓦，冷却需求主要受限于芯片结区至表面的热阻；单晶金刚石导热系数超2000 W/m·K，可作为与芯片匹配的散热扩展层，直接集成于芯片与盖板之间，通过CVD技术实现工业化生产，并适配现有封装工艺，有效降低热扩散阻力。

本事件热度走势

可比范围当前: 8
可比范围峰值: 1011月2日 11:00
近 24 小时变化: –

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。