格罗方德发布FDX Fusion工艺技术路线
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格罗方德发布FDX Fusion工艺技术路线
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格罗方德推出基于FD-SOI技术的FDX Fusion工艺，采用平面晶体管与DUV光刻，不使用EUV，目标实现7nm级别的功耗和性能，逻辑密度达每平方毫米1400万个逻辑门（约5600万晶体管/mm²），目前处于研发验证阶段。 该工艺通过应变硅衬底、栅极间距优化等技术提升性能，格罗方德正与Soitec和CEA-Leti在FAMES项目下合作开发相关应变硅衬底，以支持其性能目标。
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最新进展11月9日 08:11
格罗方德发布FDX Fusion工艺，目标实现7nm级性能报道时间线
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11月9日
- 36氪格罗方德发布FDX Fusion工艺，目标实现7nm级性能
格罗方德推出FDX Fusion工艺，基于FD-SOI技术，采用平面晶体管与DUV光刻，不使用EUV，目标逻辑密度达每平方毫米1400万个逻辑门（约5600万晶体管/mm²），在功耗和性能上对标7nm级别，通过应变硅衬底、栅极间距优化等技术提升性能，目前处于研发验证阶段。
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