格罗方德发布FDX Fusion工艺，目标实现7nm级性能

格罗方德推出FDX Fusion工艺，基于FD-SOI技术，采用平面晶体管与DUV光刻，不使用EUV，目标逻辑密度达每平方毫米1400万个逻辑门（约5600万晶体管/mm²），在功耗和性能上对标7nm级别，通过应变硅衬底、栅极间距优化等技术提升性能，目前处于研发验证阶段。