热点事件持续更新

国镓半导体推进车规级氮化镓芯片研发

1 篇报道1 个报道来源11 小时前更新

先了解这件事

AI 综述

国镓半导体（无锡）有限公司正推进大功率、车规级氮化镓芯片的研发，覆盖材料、器件设计、封装及测试全流程，已获多项散热与封装相关专利，团队约十人，目前处于研发投入阶段。该技术旨在突破当前硅基氮化镓器件普遍集中在650V耐压水平的局限，进军1200V以上高压大功率市场，这一领域目前由碳化硅主导。公司目标应用于电动汽车与数据中心等高可靠性场景，2025年获评国家级高新技术企业，正筹备新一轮融资。全球功率氮化镓器件市场规模预计从2025年的约5.88亿美元增长至2026年的约9.2亿美元，2031年有望达35亿美元，显示该赛道具备快速增长潜力。

AI 根据报道生成 · 11 小时前更新

最新进展11月10日 14:15

国镓半导体推进大功率车规级氮化镓芯片研发

报道时间线

沿着报道，了解事件的不同侧面。

11月10日

14:15
36氪
国镓半导体推进大功率车规级氮化镓芯片研发
国镓半导体聚焦大功率、车规级氮化镓芯片研发，覆盖材料、器件设计、封装及测试全流程，已获多项专利与软件著作权，2025年获评国家级高新技术企业，正推进新一轮融资，目标应用于电动汽车与数据中心等高可靠性场景。

本事件热度走势

可比范围当前: 7
可比范围峰值: 1011月10日 15:00
近 24 小时变化: –

趋势仅比较持续完整观测到的相同主体，范围可能小于当前热度统计。移动指针或点击图表查看每小时热度；键盘可用左右方向键切换。