夕心半导体突破非极性氮化镓外延技术

上海夕心半导体科技有限公司自主研发出非极性氮化镓外延技术，解决了传统c面氮化镓因极化效应导致的量子限制斯塔克效应问题，显著提升绿光LED内量子效率与波长稳定性，并在Micro-LED显示、激光器及功率器件领域实现技术验证。 该公司成为国内唯一掌握全链条非极性GaN外延片自主知识产权的企业，其项目获国家科技成果转化认定与重大科技专项支持，团队参与行业标准制定，技术覆盖从衬底制备到外延生长的完整环节，在紫金石衬底与非极性外延工艺上形成自主知识产权体系。

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