美光否定4F²技术路线
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美光否定4F²技术路线
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美光宣布彻底放弃4F²技术路线，称其因电容间距存在物理下限、垂直沟道晶体管工艺窗口苛刻，导致成本与良率问题无法克服，不具备可量产的规模化微缩路径；公司已投入超过20年研发，最终结论为该路线密度收益将被工艺成本和良率损失完全抵消。 美光总裁Scott DeBoer称，决定DRAM位密度的核心是电容间距而非晶体管布局，因此将研发资源转向6F²延续优化与3D DRAM技术。三星与SK海力士则继续推进4F²，三星已在ISSCC 2026展示16Gb原型并计划用于10a至10d代产品。
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最新进展11月1日 14:41
DRAM产业技术路线出现分野：美光放弃4F²，三星与SK海力士持续推进报道时间线
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11月1日
- 36氪精选DRAM产业技术路线出现分野：美光放弃4F²，三星与SK海力士持续推进
美光总裁Scott DeBoer表示，经过二十年研究，认定4F²架构因工艺复杂度和成本过高，不具备可量产的规模化路径，决定彻底放弃该路线；三星与SK海力士则继续推进4F²研发，三星已在ISSCC 2026展示16Gb 4F² DRAM原型，并计划将其应用于10a至10d三代产品，作为3D DRAM前的工艺底座。
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