美光公布DRAM与NAND技术路线图
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美光公布DRAM与NAND技术路线图
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美光科技公布了其DRAM与NAND闪存未来技术发展路径，宣布将放弃采用4F²存储单元的DRAM生产，转而推进1δ工艺节点，并计划于2027年下半年开始量产，该技术将应用于DDR、LPDDR、HBM5及垂直内存产品，同时支持晶圆键合、高数值孔径EUV光刻和硅通孔（TSV）等先进工艺。 该公司还披露了后续1ε、ζÅ和ηÅ工艺节点的研发进展，并正研发3D DRAM（包括3D1/3D2），以应对AI算力对内存性能的需求。美光称其1δ技术将在美国本土生产，区别于三星、SK海力士等竞争对手仍保留4F²方案的做法。
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最新进展11月5日 10:27
美光公布DRAM与NAND闪存未来技术路线图报道时间线
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11月5日
- 36氪精选美光公布DRAM与NAND闪存未来技术路线图
美光科技公布了其未来几年的DRAM和NAND闪存发展路线图，计划于2027年下半年量产1δ DRAM，采用高数值孔径EUV光刻、晶圆键合及新材料技术，并推进3D DRAM研发；同时将扩展定制化HBM与垂直内存产品组合，以应对AI工作负载需求。
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